主板cpu供电电路图 电脑主板供电线路图( 二 )

<0.7V,该三极管导通,即在实际电路中当b点电压低于e点0.7V时,三极管导通 。电流方向为Iec5.2.2:三极管的放大特性:我们知道,把两个二极管背靠背的连在一起,是没有放大作用的,要想使它具有放大作用,必须做到一下几点:1.发射区中掺杂2.基区必须很薄3.集电极的面积很大4.工作时,发射结正向偏置,集电结反向偏置5.3:案例实战上图是一个典型的多个三极管组成的集成电路,当BATMON_En输入为↑时,Q37作为(NPN)导通,即D6 pin3↓,即D36 pin1 and pin2都为↓,由于Q38,Q7均是PNP 三极管,当D6 PIN1 AND PIN2 都为↓,两个三极管导通,从而得到M_BATVOLT and S_BATVOLT为高电平点评:从上面的电路图中我们可以得到启发,电路图中向外箭头的并不一定是输出信号,一定要根据实际情况,D6是一个由2个二极管组成的3脚零件,利用了二极管的单向导电性,pin1 and pin2始终和3点电位保持一致 。第六章:场效应管概述:场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管),在主板电路中我们常见的场效应管为MOS管,本章着重介绍MOS管的应用 。场效应管相比较前面提到的三极管相比具有以下特点:(1)场效应管是电压控制器件,它通过UGS来控制ID;(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很高;(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强 。6.1:MOS管部分概述:主板电路中常见的MOS管可以概述为两类MOS管,P―MOS 和N―MOS 。6.1.1:P―MOS:PMOS根据又可以分作3pin的MOS和8pin的MOS,但是工作原理是一致的MOS管的原理很简单,主要是在电路中的应用显得很重要,常见的作用主要是开关作用 。我们从图中可以看到:对于增强型来说,只有当UgsUt时,Id才有电流 。对于耗尽型来说,只有当Ugs>Up时,Id才有电流 。对我们分析电路来说,Ugs>U(导通电压),MOS导通 。没有必要记许多复杂的概念和知识 。6.1.3:MOS实战案例: 该电路是P-MOS,N-MOS,三极管的综合电路从该电路中我们可以看出是一个产生VDIMM电压的电路分析之前请预先知:DUALSW是S0 power,-susc_S5是代表低电平有效当开机后:DUALSW↑,此时Q36由于S点电压低于G点电压,Q36是N-MOS,该MOS导通,产生了VIDIMM,由于-SUSC_S5是低电平有效,可以肯定的是-SUSC_S5在开机时高电平,Q33 B点和E点都是↑,Q33截止 。而此时Q32的G点电压也为↑,Q32是P-MOS,该MOS是截止的 。===从而可以知道在这个电路中开机后只有一个MOS来产生VDIMM那么Q32是否显得多余?请看下面分析:众所周知:S3时将数据暂存在memory里,当系统在S3时,DUALSW↓,-SUSC_S5V↑,Q33截止,而此时Q32 G点↓,Q32为P-MOS,该MOS导通,产生VIDIMM 。由此可见,此处利用双MOS来产生VIDIMM是完全有必要的,也是很合理的点评:MOS的原理很好实现,关键的是相关信号在什么状态下是high是low,相关信号的意义6.2:JFET部分:结型场效应管可以分作结构型N沟道和结型P沟道2.结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例) 在D、S间加上电压UDS,则源极和漏极之间形成电流ID,我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS,就可以改变两个PN结阻挡层的(耗尽层)的宽度,这样就改变了沟道电阻,因此就改变了漏极电流ID 。
电脑主板电路原理图大全5先了解硬件等知识, 然后对着电脑电路一个一个对应、就看的懂了 。
看懂电脑主板电路图可以按以下步骤来:
1、从CPU出发来看,CPU出来有数据总线,地址总线,控制总线,分类去寻找相应的元器件 。
2、分模块来看,弄懂各个模块的功能 。
3、清楚每个元器件的功能和接线关系,这是最基本的 。
先认识符号所表达的含义,然后根据实物和油路或者电路的走向,慢慢理解原理图中所表示的意思 多看看就会了 。学好模拟电子技术和数字电子技术 。
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