在110℃到170℃,畴变得非常活跃,畴结构发生明显改变 。部分消失的压电响应说明了Pbam反铁电相的出现 。原位的畴分析说明了相转变伴随着畴壁的移动 。极化翻转谱压电力显微镜进一步确认了相变时的压电响应变化 。
Anomalous responses were found in both ON and OFF states at 170 °C, and the film exhibits typical antiferroelectric behavior at 200 °C, implying that the completion of phase transition and structure turned to the Pbam phase.
在170℃,On和OFF状态的测试中都出现了异常的响应,说明了相变的发生 。而在200℃时薄膜表现出标准的反铁电的响应,说明了相变的完成,薄膜结构完全转变到Pbam相 。
This work revealed the origin of the high piezoresponse of Sm-doped BiFeO3 thin films at the morphotropic phase boundary (MPB).
本工作揭示了处于准同型相界成分的Sm掺杂BiFeO3薄膜高压电响应的起因 。
文中部分图片:
在20°C, 80°C, 140°C 和200°C下,压电力显微镜扫描结果
从20 °C到200 °C,薄膜变形量和畴区域的变化
从40 °C到230 °C,光功率热分析结果
On和Off状态下,从20 °C到200 °C的变形量和相
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