溶胶的制备方法及原理,溶胶的制备方法有哪些 _百科达人

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溶胶的制备方法有哪些1研磨法：用粉碎设备将粗粒子研磨细。适用于脆而易碎的物质，柔韧性的物质可以先硬化后粉碎。胶溶法：又称为解胶法，就是将新鲜的凝聚胶粒分散在介质中形成溶胶的方法。超声波分散法：用高频率超声波传入介质，对分散相产生很大的撕碎力，从而达到分散效果。电分散法：以金属为电极，通以直流电电流5到10A，电压40到60V)，使其产生电弧，在电弧的作用下，电极表面的金属气化，遇水冷却而成为胶粒，水中加入少量碱即可形成稳定的溶胶，主要用来制备金属水溶胶。化学凝聚法：通过各种化学反应使生成物呈过饱和状态，使初生成的难溶物微粒结合成胶粒，在少量稳定剂存在下形成溶胶，这种稳定剂一般是某过量的反应物。物理凝聚法：更换溶剂法利用物质在不同溶剂中溶解度的显著差别来制备溶胶，而且两种溶剂要能完全互溶。蒸气骤冷法：将物质的蒸气通入冷水中就可以得到该物质的水溶胶。
用金属硅粉制作硅溶胶的工艺2 硅溶胶为胶体大小的无定形的二氧化硅粒子在水中的稳定体系，由于硅溶胶具有较大的比表面积，较好的渗透性、吸附性和粘结性，较高的耐火绝缘性等优良性能，在纺织、造纸、钢铁铸造、金属表面处理、陶瓷、涂料、颜料、胶粘剂等行业上得到了相当广泛的应用，在改善工业产品质量、简化生产工艺和节约原材料等方面都可发挥不同程度的作用。
目前国内制备硅溶胶的方法有三种：离子交换法、酸中和法、电渗析法、硅粉溶解法和胶溶法。离子交换法为国内大多采用的方法，但此法工艺程序较多，能源消耗大；电解电渗析法在操作过程中会发生二氧化硅在阳极上的吸附沉积，电压和功耗都比较高，且硅溶胶易发生聚合；酸中和法稳定性差而胶溶法要求条件较高。用硅粉制备硅溶胶工艺简单，成本较低，产品质量较好，更适合中小型企业进行生产。但目前硅粉制备硅溶胶存在的问题是产品浓度不高（30%），得率较低，一般在60%～75%之间。笔者采用硅粉溶解法制备硅溶胶，探索了制备的新工艺，产品的浓度高，粒径大，稳定性好，粘度低。
气溶胶传播可怕？其实溶胶—凝胶法在材料制备中有大用处3最近因为新冠肺炎，气溶胶这个名词火遍了大江南北。
什么是气溶胶？
气溶胶是指悬浮在气体介质中的固态或液态颗粒所组成的气态分散系统。当含有病毒的飞沫在空气中悬浮，并逐渐失去水分，剩下的蛋白质和病原体组成核，就形成了飞沫核。
其实溶胶体系是个大家族，除了气溶胶、还有以液体为分散介质的溶胶、以固体为分散介质的固溶胶。而溶胶—凝胶法，作为一种新型制备方法，在材料研究领域得到了广泛应用。
清华大学李敬锋教授研究团队采用溶胶凝胶法制备了Sm掺杂铁酸铋(001)外延薄膜并研究了它的铁电畴和相变，发表在Journal of Materiomics第4卷第1期。查看全文可访问https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2352847817300631#!
倒易空间图和透射电镜照片；不同温度下最大压电响应的变化
【溶胶的制备方法及原理,溶胶的制备方法有哪些】内容简介：
BiFeO3, a room-temperature multiferroic material, has recently been increasingly applied as a potential lead-free piezoelectric material due to its large piezoelectricity achieved by doping.
由于通过掺杂能取得较高的压电性能，室温多铁材料铁酸铋BiFeO3近来被越来越多作为有潜力的无铅压电材料而被应用。
In this work, 12% Sm-doped BiFeO3 epitaxial thin films were fabricated on Nb-doped SrTiO3 (001) single crystal substrates via sol-gel method.
本工作通过溶胶凝胶法在（001）单晶掺铌钛酸锶SrTiO3衬底上制备了掺杂12%Sm的BiFeO3外延薄膜。
The epitaxy was verified by reciprocal space mapping (RSM) and transmission electron microscope (TEM). The TEM results indicated the coexistence of R3c andPbam phases in the film.
通过倒易空间图和透射电镜确认了外延性。透射电镜也确认了R3c和Pbam相在该薄膜中的共存。
The domains and piezoelectric properties from room temperature to 200 °C were characterized by piezoresponse force microscopy (PFM).
通过压电力显微镜测试了薄膜从室温到200℃的畴结构和压电响应的变化。
Domains became active from 110 °C to 170 °C, and domain configurations changed obviously. A partially fading piezoresponse indicated the emergence of antiferroelectric Pbam. The in-situ domain analysis suggested that the phase transition was accompanied by domain wall motion. Switching spectroscopy PFM (SS-PFM) was further conducted to investigate the piezoresponse during the phase transition.