霍尔效应测试仪【霍尔效应测试仪】霍尔效应测试仪 ， 是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔係数等重要参数 ， 而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的 ， 因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具 。
基本介绍中文名：霍尔效应测试仪
磁场强度：：0.65T/1T;
输出电流：：2nA-100mA;
迁移率：(cm2/Volt-sec):1-107
介绍霍尔效应测试仪介绍该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度 。仪器轻巧方便 ， 易于携带 ， 主要用于量测电子材料之重要特性参数 ， 如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔係数等 ， 薄膜或体材料均可 ， 其原理主要依据范德堡法则 。除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外 ， 它也可套用于LED磊晶层的质量判定 ， 也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成 ， 此未还可以用于太阳能电池片的製程辅助 。可说是一套功能强大、套用广泛的系统 ， 再加上平实的价格 ， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用 。广泛套用于半导体厂商 。主要特点1、高精密度电流源输出电流之精确度可达2nA ， 如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测 ， 即高电阻值材料之量测 。2、高精密度电錶使用超高精度电錶 ， 电压量测能力可达nV等级 ， 上限可达300V ， 极适合用于量测低电阻值材料 。3、外型精简、操作简单外型轻巧、美观大方 ， 磁铁组之极性更换也很灵活容易 ， 独特之液氮容器设计 ， 可确保低温量测之稳定性最佳 。4、I-V曲线採用图表的方式 ， 测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线 ， 藉此评判样品的欧姆接触好坏 。5、单纯好用之操作画面使用者只需在同一张操作画面中 ， 就可以完成所有的设定 ， 实验结果由软体自动计算得到 ， 并在同一张画面中显示出来 ， 省却画面切换的麻烦 ， 结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔係数(Hall Coefficient)、等重要实验数据 。6、自行开发之弹簧样品夹具 ， 特殊设计之弹簧探针 ， 其强度加强可改善探针与接触点之电气接触 ， 提高量测之可靠度 。技术参数变温 ， 常温和液氮温度(77K)下测量;阻抗:10-6 to 107载流子浓度(cm-3):107 - 1021样品夹具：弹簧样品夹具(免去製作霍尔样品的麻烦)；测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm